俣野 達哉 | Nec Corp.
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概要
関連著者
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俣野 達哉
Nec Corp.
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俣野 達哉
エルピーダメモリ
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大月 哲也
Nec Corporation
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成竹 功夫
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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室谷 樹徳
Nec
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成竹 功夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
日本電気(株)
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笠井 直記
Nec システムデバイス研
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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佐伯 貴範
日本電気株式会社
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俣野 達哉
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大月 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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室谷 樹徳
NEC ULSIデバイス開発研究所
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笠井 直記
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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相本 代志治
NEC
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古田 浩一朗
NEC
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宮武 伸一
(株)日立超lsiシステムズ
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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中村 正行
エルピーダメモリ(株)
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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久保内 修一
(株)日立超LSIシステムズ
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藤澤 宏樹
エルピーダメモリ(株)
-
藤井 勇
(株)日立超LSIシステムズ
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余公 秀之
(株)日立超LSIシステムズ
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藤澤 宏樹
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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中村 正行
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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高井 康浩
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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越川 康二
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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俣野 達哉
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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成井 誠司
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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臼木 成和
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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堂野 千晶
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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森野 誠
(株)日立超LSIシステムズ
-
荒井 公司
(株)日立超LSIシステムズ
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安達 隆郎
(株)日立超LSIシステムズ
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中島 謙
NEC Corporation
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
杉林 直彦
Nec
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田中 章仁
日本電気株式会社
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浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
菅原 寛
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
芝原 健太郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥田 高
Nec
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奥田 高
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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成井 誠司
エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス
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谷川 高穂
NEC
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小林 康夫
Nec
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小林 康夫
日本電気株式会社
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國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
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竹島 俊夫
NEC
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俣野 達哉
NEC
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高田 弘
NEC
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藤田 真盛
NEC
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佐伯 貴範
NEC
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相崎 尚昭
NEC
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梯 英一郎
NEC
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益森 勝博
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山口 弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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高井 康浩
エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス
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堂野 千晶
エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
安達 隆郎
エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス
-
越川 康二
エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス
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古賀 洋貴
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小山 邦明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡部 博士
NEC ULSIデバイス開発研究所
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中岡 裕二
日本電気株式会社
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藤田 真盛
日本電気株式会社
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永田 恭一
日本電気株式会社
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榊原 賢一
日本電気株式会社
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俣野 達哉
日本電気株式会社
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星野 幸雄
日本電気株式会社
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宮野 和孝
日本電気株式会社
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伊佐 聡
日本電気株式会社
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中沢 茂行
日本電気株式会社
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福造 幸雄
日本電気株式会社
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奥田 高
日本電気株式会社
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俣野 達哉
Nec Corporation
-
伊佐 聡
Nec
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永田 恭一
NEC
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中沢 茂行
NEC
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臼木 成和
エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス
-
相崎 尚昭
日本電気
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越川 康二
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
-
高井 康浩
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
-
堂野 千晶
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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臼木 成和
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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成井 誠司
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
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俣野 達哉
エルピｰダメモリ株式会社 テクノロジｰ&ディベロップメントオフィス
著作論文
- 1.8V 800-Mb/s/pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- 2.5ns Clock Access 250MHz 256MSDRAM
- 負電圧ワード線方式におけるサブワードドライバ回路の検討
- 時分割多値センス方式を用いた4Gb DRAM
- 4GビットDRAM (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-タ関連デバイス)