竹島 俊夫 | NEC

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概要

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関連著者

• 竹島 俊夫

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 菅原 寛

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 室谷 樹徳

  Nec

• 相本 代志治

  NEC

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 須藤 直昭

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大川 真賢

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 武田 晃一

  NEC

• 野田 研二

  NEC

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 佐藤 敏哉

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 高田 弘

  NEC

• 増田 肇

  NEC 第2メモリ事業部

• 益岡 宗明

  Nec

• 石川 勝之

  NEC

• 杉林 直彦

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 益岡 完明

  NEC

• 古田 浩一朗

  NEC

• 笠井 直記

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 波田 博光

  NECシリコンシステム研究所

• 國尾 武光

  NECシリコンシステム研究所

• 笠井 直記

  日本電気(株)

• 波田 博光

  日本電気(株)

• 笠井 直記

  Nec システムデバイス研

• 小山 健一

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 國尾 武光

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 中島 謙

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中島 謙

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 謙

  NEC Corporation

• 平川 剛

  Nec 第2メモリ事業部

• 佐伯 貴範

  日本電気株式会社

• 杉林 直彦

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 杉林 直彦

  Nec

• 浜田 健彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小山 健一

  日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所

• 芝原 健太郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 芝原 健太郎

  広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科

• 谷川 高穂

  NEC

• 成竹 功夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中川 健一郎

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 國尾 武光

  Nec マイクロエレクトロニクス研

• 俣野 達哉

  NEC

• 藤田 真盛

  NEC

• 佐伯 貴範

  NEC

• 相崎 尚昭

  NEC

• 梯 英一郎

  NEC

• 益森 勝博

  NEC

• 佐藤 敏哉

  NEC 第2メモリ事業部

• 築地 優

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中川 健一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 河田 将人

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小山 健一

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大屋 秀市

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 久宗 義明

  NEC

• 金森 宏治

  NEC

• 岡澤 武

  NEC

• 佐々木 勇男

  NEC

• 浜田 健彦

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 笠井 直記

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 金森 宏治

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 久宗 義明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岡澤 武

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 俣野 達哉

  エルピーダメモリ

• 藤田 真盛

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 俣野 達哉

  Nec Corp.

• 小山 健一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所メモリ開発部

• 藤田 真盛

  日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部

• 成竹 功夫

  日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部

• 須藤 直昭

  NEC, ULSIデバイス開発研究所

• 竹島 俊夫

  NEC, ULSIデバイス開発研究所

• 相崎 尚昭

  日本電気

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著作論文

• 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
• 不揮発性メモリ用高速読み出し方式の検討
• 多値フラッシュメモリ用書込方式の検討
• FN-NOR型4値セルを用いた98mm^2、64Mbフラッシュメモリ
• ダイナミックビット線ラッチ(DBL)書込み機能を搭載した3.3V単一電源64Mbフラッシュメモリ
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 高電圧発生回路の面積最適化設計手法の検討
• 多値メモリ用センスアンプの検討

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