笠井 直記 | NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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概要
関連著者
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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笠井 直記
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NEC日立メモリ(株)
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新村 俊樹
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)山形日本電気(株)
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Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
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吉田 和由
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)nec日立メモリ(株)
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杉林 直彦
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気(株)
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永原 聖万
日本電気(株)
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崎村 昇
日本電気株式会社
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杉林 直彦
日本電気株式会社
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根橋 竜介
日本電気株式会社
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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志村 健一
日本電気株式会社
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大野 英男
東北大学電気通信研究所
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伊藤 信和
日本電気株式会社先端デバイス開発本部
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新村 俊樹
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)山形日本電気(株)
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藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
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山崎 進也
Necエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部:(現)lsi製造本部
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遠藤 哲郎
東北大学 学際科学国際高等研究センター
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大野 英男
東北大学
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羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
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石綿 延行
Necデバプラ研
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森 馨
NECデバイスプラットフォーム研究所
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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田原 修一
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根橋 竜介
日本電気(株)
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本庄 弘明
日本電気(株)
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三浦 貞彦
日本電気(株)
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加藤 有光
日本電気(株)
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森 馨
日本電気(株)
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大嶋 則和
日本電気(株)
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日本電気(株)
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鈴木 哲広
日本電気(株)
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石綿 延行
日本電気(株)
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日本電気(株)
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深見 俊輔
日本電気(株)
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本田 雄士
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志村 健一
日本電気(株)システムデバイス研究所
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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大嶋 則和
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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本田 雄士
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Nec デバイスプラットフォーム研
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
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NEC
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NECシリコンシステム研究所
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三輪 達
日本電気(株)シリコンシステム研究所
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小池 洋紀
日本電気(株)シリコンシステム研究所
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豊島 秀雄
日本電気(株)シリコンシステム研究所
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日本電気(株)
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田辺 伸広
日本電気(株)
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清家 綾
日本電気(株)
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竹内 英代
日本電気(株)
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山田 純一
日本電気(株)
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前島 幸彦
日本電気(株)
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日本電気(株)
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小林 壮太
日本電気(株)
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奈倉 健
日本電気(株)
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杉山 秀樹
日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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伊藤 雄一
NECエレクトロニクス(株)
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NECエレクトロニクス(株)
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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向井 智徳
日本電気(株)システムデバイス研究所
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝 研究開発センター
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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杉林 直彦
日本電気・デバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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與田 博明
(株)東芝
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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池田 正二
東北大学電気通信研究所
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中島 謙
NEC Corporation
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福本 能之
Necシステムデバイス研究所
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気(株)
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佐伯 貴範
日本電気株式会社
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杉林 直彦
Nec
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浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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日本電気(株)
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菅原 寛
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥田 高
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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大月 哲也
Nec Corporation
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谷川 高穂
NEC
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竹内 英代
Nec
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國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
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竹島 俊夫
NEC
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俣野 達哉
NEC
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高田 弘
NEC
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藤田 真盛
NEC
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佐伯 貴範
NEC
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相崎 尚昭
NEC
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梯 英一郎
NEC
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益森 勝博
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山口 弘
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大月 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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室谷 樹徳
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古賀 洋貴
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡部 博士
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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小山 邦明
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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加藤 芳健
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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尾崎 康亮
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
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相崎 尚昭
日本電気
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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與田 博明
東芝 研開セ
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山本 一郎
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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木下 啓蔵
東北大学
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齊藤 信作
日本電気株式会社
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社
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小池 洋紀
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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大澤 隆
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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安藤 康夫
東北大学大学院工学研究科
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鈴木 哲広
ルネサスエレクトロニクス
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木下 啓藏
東北大学
-
森岡 あゆ香
日本電気株式会社
著作論文
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- (Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
- 短チャネルMOSFET特性を評価するための電気的なゲート長測定素子
- 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)