藤井 邦宏 | NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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概要
関連著者
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藤井 邦宏
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK
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藤井 邦宏
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Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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横川 慎二
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Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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林 喜宏
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松木 武雄
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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伊藤 信和
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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藤井 邦宏
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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吉田 和由
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大音 光市
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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久米 一平
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ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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渡部 忠兆
株式会社東芝セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
著作論文
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
- 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発