菊田 邦子 | NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

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概要

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• NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部の論文著者

関連著者

• 菊田 邦子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 中島 務

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 大音 光市

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 大音 光市

  Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 吉川 公麿

  広島大学:産業総合研究所

• 吉川 公磨

  ULSIデバイス開発研究所

• 上野 和良

  Necエレクトロニクス(株)

• 隣 真一

  Nec Ulsiデバイス開研

• 菊田 邦子

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 菊田 邦子

  Nec Ulsi デバイス開発研究所

• 泰地 稔二

  NECELプロセス技術事業部

• 関根 誠

  NECエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 宇佐美 達矢

  NECエレクトロニクス(株)

• 黒川 哲也

  NECエレクトロニクス(株)

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 恒成 欣嗣

  日本電気株式会社

• 菊田 邦子

  日本電気(株)

• 中島 務

  日本電気(株)

• 林 喜宏

  日本電気(株)

• 隣 真一

  日本電気(株)

• 吉川 公麿

  日本電気(株)

• 菊田 邦子

  ULSIデバイス開発研究所

• 中島 務

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 上野 和良

  ULSIデバイス開発研究所

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 宇佐美 達矢

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 上野 和良

  Nec・ulsiデバイス開発研究所

• 隣 真一

  日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所

• 大音 光市

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉川 公麿

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 藤井 邦宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所

• 鈴木 三惠子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 角原 由美

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 戸原 誠人

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 川原 尚由

  NECエレクトロニクス(株)

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社

• 横川 慎二

  電気通信大学

• 竹脇 利至

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 鈴木 三恵子

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 豊嶋 宏徳

  NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 土屋 楽章

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 泰地 稔二

  NECエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部

• 恒成 欣嗣

  NEC

• 吉川 公磨

  NEC

• 黒川 哲也

  Necエレクトロニクス株式会社先端テスト評価技術事業部

• 隣 真一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 角原 由美

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 土屋 秀昭

  Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部

• 川原 尚由

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 泰地 稔二

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

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著作論文

• Alダマシンプロセスによる多層配線形成
• アルミリフロースパッタ埋め込みとCMPによる溝配線形成
• 高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術
• 微細銅配線において車載信頼性を実現するための新抵抗率評価手法(配線・実装技術と関連材料技術)
• セルフアラインプラグを有する0.25μm埋め込み配線

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