高温スパッタを用いたサブクォーターマイクロンのチタンサリサイド形成技術
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概要
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サプクォーターマイクロンのTiSi_2形成法として, Tiの高温スパッタを用いたサリサイド技術を提案した[1]. Si表面の非晶質化とTiの高温スパッタを用いることで, TiSi_2の相転移が促進でき, Nゲート電極上においても, 0.2μmの線幅まで, 線幅依存性のない低抵抗のTiSi_2が形成できることが判った. 更に, 本プロセスを用いて, 実効チャネル長0.09μmのCMOSトランジスターを形成し, その正常な動作を確認した. 高温スパッタによるTiSi_2の相転移促進は, スパッタ時にTi/Si界面に形成される非晶質のTiSi層が, その後のシリサイド化反応の際に, C54-TiSi_2の核形成層としての役割を果たしているためと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-26
著者
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
隣 真一
Nec Ulsiデバイス開研
-
吉川 公麿
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
藤井 邦宏
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
菊田 邦子
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
藤井 邦宏
Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部
-
菊田 邦子
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
-
隣 真一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
菊田 邦子
Nec Ulsi デバイス開発研究所
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