ギガビットスケールDRAM用TiN/Ti-CVDコンタクト技術
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概要
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1ギカビットDRAM以降の微細で高アスペクトなコンタクトに対応したコンタクトプラグ形成技術として, Ti-PECVDとTiN-LPCVDを用いたTiN/Tiコンタクトプラグ形成技術を提案した. Ti-PECVDはSi上に成膜する場合545℃を越えるとin-situでTiのシリサイド化が起こることがわかった. また, TiN-LPCVDは, アスペクト比7以上のコンタクトにおいても100%のステップカバレッジが得られることがわかった. Ti-PECVDとTiN-LPCVDを用いてTiN/Tiコンタクトプラグを形成した結果, コンタクトサイズ0.25μmアスペクト比6のコンタクトにおいて良好なコンタクト電気特性が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-24
著者
-
大音 光市
Necエレクトロニクス株式会社先端プロセス技術事業部
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
隣 真一
Nec Ulsiデバイス開研
-
大音 光市
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
占部 耕児
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
田桑 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
吉川 公麿
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
隣 真一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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