(Ba,Sr)TiO_3膜キャパシタ特性の電極金属依存性
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概要
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DRAMの高集積化やロジックLSIの高速化に必要な高誘電率(Ba,Sr)TiO_3膜(BST)キャパシタの電極金属、窒化物、酸化物、Ir、Ru、TiN、Ti、Ta、TaN、SrRuO_3について、BSTキャパシタ特性におよぼす電極依存性について調べた。Ta及びTi電極ではBST結晶性が改善され、対応してTa及びTi電極はリーク電流を下げることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-14
著者
-
吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
山田 紘士
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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