低誘電率層間絶縁膜中のリン添加効果によるCuイオンドリフト抑制効果
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概要
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ULSIの高速化を達成するためにはCu配線による低抵抗化と低誘電率層間絶縁膜による低容量化が必要となる。CuはSiO_2中の拡散係数が大きいためにバリアメタルが必要になるが、スケーリングとともに配線に占めるバリアメタルの割合が増大し実質的に配線抵抗が増大してしまう問題がある。さらにCuの電界ドリフトは比較的低温でも起こり、リーク電流やデバイスの特性を劣化させる。そのため本研究ではバリアメタルフリーのCu配線構造に対応すべくCuイオンドリフト抑制効果を持つ層間絶縁膜を検討している。ここでは層間絶縁膜に不純物としてリンを添加しCuイオンドリフト抑制効果、リーク電流抑制効果を評価した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-23
著者
-
向川 政治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
尾田 智彦
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
青木 倫子
クラリアントジャパン(株)
-
舟山 徹
クラリアントジャパン(株)
-
吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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