シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
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概要
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ゲート酸化膜厚〜3nmのnチャネルMOSトランジスタにおいて, シリコン熱酸化膜を形成する前後の有機ガス汚染が酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす影響を調べた. 試料をポリカーボネイト製ボックスに6時間保管することにより有機ガス汚染させた. その結果, ホットエレクトロン注入により中性トラップが観測され, その密度は熱酸化前に有機ガス汚染させた試料において最も大きいことが分かった. また, 直接トンネル注入はホットエレクトロン注入に比べ酸化膜劣化の度合いが低いことを見出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-31
著者
-
吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
-
角南 英夫
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
吉野 雄信
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
KHOSRU Quazi
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
Khosru Q
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
-
横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
吉野 雄信
広島大学ナノデバイス ・ システム研究センター
-
Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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