重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
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概要
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チャネル領域へのドーピングにp-MOSではAsに代わりSbをn-MOSではBの代わりにInを用いてSSR(super steep retrograde)プロファイルを有するMOSFETを製作した。p/nいずれの場合にもSSRチャネルの導入によりしきい値電圧の揺らぎが減少した。微細MOSFETではしきい値電圧はドーピングプロファイルだけでなくゲート長やゲート幅の加工揺らぎの影響を受ける。n-MOSFETについてSEM観察でこれらの加工揺らぎを評価した結果、観察されたしきい値電圧揺らぎは加工揺らぎから予想されるものより大きく不純物プロファイルの差を反映したものと考えられる。p-MOSFETにおいてはしきい値電圧揺らぎの低減に加えてドレイン電流の増大も明らかでありSSRプロファイルが性能向上にも有効であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
川上 信之
株式会社神戸製鋼所電子技術研究所
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
野津 大輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
鬼松 大
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
川上 信之
神戸製鋼電子技術研究所
-
鬼松 大
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
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