芝原 健太郎 | 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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概要
関連著者
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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前田 展秀
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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鬼松 大
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
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川上 信之
株式会社神戸製鋼所電子技術研究所
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國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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山下 朋弘
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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廣瀬 全孝
広島大学工学部
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横山 新
広島大学集積化システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学集積化システム研究センター
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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井上 靖朗
株式会社ルネサステクノロジ
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芝原 健太郎
広大
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野村 明弘
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
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角南 英夫
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉野 雄信
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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KHOSRU Quazi
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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Khosru Q
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
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羽田野 剛司
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉田 昌義
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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清水 昭博
株式会社ルネサステクノロジ
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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羽田野 剛司
Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima Univ.
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芝原 健太郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
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日野 真毅
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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天田 高明
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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鬼松 大
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科
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尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジ
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吉野 雄信
広島大学ナノデバイス ・ システム研究センター
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Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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杉林 直彦
NECデバイスプラットフォーム研究所
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相本 代志治
NEC
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大倉 健作
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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古田 浩一朗
NEC
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東 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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田中 武
広島工業大学工学部
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田中 武
広島工大
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岩田 穆
広島大学工学部
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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神山 聡
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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渡辺 啓仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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波田 博光
NECシリコンシステム研究所
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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笠井 直記
日本電気(株)
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波田 博光
日本電気(株)
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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渡嘉敷 健
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
Nec
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渡嘉敷 健
Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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笠井 直記
Nec システムデバイス研
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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浜田 昌幸
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 誠一
広島大学工学部
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上原 暁人
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
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三富士 道彦
広島大学工学部
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土居 武司
広島大学工学部
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藤井 敏昭
(株)荏原総合研究所
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難波 徹
広島大学集積化システム研究センター
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上原 暁人
広島大学集積化システム研究センター
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永田 真
広島大学集積化システム研究センター
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阿江 忠
広島大学工学部
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田中 武
広島工業大学
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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中島 謙
NEC Corporation
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保坂 公彦
富士通研究所
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及川 隆一
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山下 朋弘
ルネサステクノロジ
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中嶋 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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高木 俊宜
広島工業大学
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佐伯 貴範
日本電気株式会社
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杉林 直彦
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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杉林 直彦
Nec
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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浜田 健彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
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藤井 敏昭
(株)荏原製作所
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菅原 寛
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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巌 庄一
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山下 浩
日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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室谷 樹徳
Nec
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谷川 高穂
NEC
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青山 敬幸
富士通研究所
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成竹 功夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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大西 貞之
NECエレクトロニクス(株)
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渡邉 悟志
広島工業大学大学院工学研究科電子工学専攻
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近藤 洋平
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
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國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
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竹島 俊夫
NEC
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俣野 達哉
NEC
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高田 弘
NEC
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藤田 真盛
NEC
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佐伯 貴範
NEC
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相崎 尚昭
NEC
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梯 英一郎
NEC
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益森 勝博
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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宗高 勇気
広島大学大学院先端物質科学研究科
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渡辺 啓仁
Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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長田 光生
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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松野 明
フェトン(株)
-
楡 孝
フェトン(株)
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法澤 公成
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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佐野 孝輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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中島 建
広島工業大学工学部電子・光システム工学科
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渡邉 悟志
創研工業株式会社
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横山 新
広島大学大学院先端物質科学研究科半導体集積科学専攻
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江藤 隆則
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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野津 大輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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川上 信之
神戸製鋼電子技術研究所
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石川 宜識
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
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鬼松 大
広島大学 ナノデバイス・システム研究センター
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青木 康志
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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釘宮 敏洋
株式会社神戸製鋼所電子情報研究所
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後藤 裕史
広島大学集積化システム研究センター
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及川 隆一
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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森 秀光
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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大西 貞之
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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中島 謙
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
山下 浩
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
伊藤 勝志
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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小島 義克
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
小山 邦明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
森 秀光
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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笠井 直記
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
小山 邦明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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俣野 達哉
エルピーダメモリ
-
伊藤 勝志
NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
巌 庄ー
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
藤田 真盛
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
阿江 忠
広島大学 工学部
-
俣野 達哉
Nec Corp.
-
藤田 真盛
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
-
成竹 功夫
日本電気(株)エレクトロンデバイス・システムlsi設計技術本部
-
釘宮 敏洋
神戸製鋼所 電子技研
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
相崎 尚昭
日本電気
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
大倉 健作
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
-
中島 建
Hiroshima Institute Of Technology
-
長田 光生
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- 光配線を用いたパターン認識システム基本回路の設計と試作
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- ▽(ナブラ)トレンチアイソレーション : 256M DRAM素子分離技術
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- デュアルゲートCMOS応用を目指したN^+注入によるMo仕事関数制御とその影響
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超LSI対応レーザー不純物活性化技術
- Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- プラズマベースイオン注入滅菌法における窒素イオンエネルギーの推定
- Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
- 傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御
- Extension形成プロセスのIn Haloプロファイルへの影響
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価
- セルフリミット機構を有するシリコン窒化膜の原子層デポジション
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性