羽田野 剛司 | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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概要
関連著者
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羽田野 剛司
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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羽田野 剛司
Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima Univ.
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羽田野 剛司
広島大学工学部
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伊澤 義雅
広島大学工学部
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藤本 一也
広島大学工学部
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伊澤 義雅
広大工
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岡本 明文
広島大学工学部
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岡本 明文
広大工
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尾和 通雄
広島大学工学部
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爲重 貴志
広大工
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大石 亮
広島大学工学部
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山本 修治
広島大学工学部
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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野村 明弘
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉田 昌義
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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伊澤 義雄
広島大学工学部
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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羽田野 剛司
広大工
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足立 進
広島大学工学部
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足立 進
広大工
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井門 直人
広島大学工学部
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堀場 泰高
広島大学工学部
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江口 真
広大工
著作論文
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 3a-YE-12 断熱近似における量子ドット・ターンスタイルのダイナミックな特性
- 3a-YE-11 量子ドット・ターンスタイル素子における電流量子化条件
- 量子ドットのクーロン振動に対するポテンシャル揺らぎの効果
- 微小トンネル素子の時間変調効果
- 量子ドットの伝導特性に対するバンド幅効果
- 28a-M-8 半導体量子ドットにおける波束の広がり効果と過渡応答
- 28a-M-7 交流変調されたポテンシャル障壁のトンネル効果
- 29p-YF-5 量子ドットにおけるターンスタイル特性の解析
- 31a-A-3 ポテンシャル障壁の時間変化に対するトンネル電流の動的応答
- 5p-N-2 量子ドットの動的現象に対する数値解析
- 30p-Q-17 量子ドットの動的現象に対する断熱近似とその拡張
- 28p-L-1 Wigner関数とLandauer公式
- 28p-L-1 Wigner関数とLandauer公式
- 13a-K-5 Wigner関数法と散乱理論法によるメソスコピック系の電気伝導
- 12p-DF-11 時間的に変化する外場中のクーロン・ブロッケード
- 13a-K-5 Wigner関数法と散乱理論法によるメソスコピック系の電気伝導
- 3p-YH-4 量子ドットのPAT(Photon Assisted Tunneling)に対するランダムポテンシャルの効果(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 3p-YH-3 変調外場に対する量子ドットの交流伝導特性(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)