羽田野 剛司 | Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima Univ.
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概要
関連著者
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羽田野 剛司
Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima Univ.
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羽田野 剛司
広島大学工学部
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羽田野 剛司
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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伊澤 義雅
広島大学工学部
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伊澤 義雅
広大工
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藤本 一也
広島大学工学部
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尾和 通雄
広島大学工学部
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岡本 明文
広島大学工学部
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岡本 明文
広大工
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爲重 貴志
広大工
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大石 亮
広島大学工学部
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山本 修治
広島大学工学部
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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野村 明弘
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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足立 進
広島大学工学部
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足立 進
広大工
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吉田 昌義
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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伊澤 義雄
広島大学工学部
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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羽田野 剛司
広大工
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井門 直人
広島大学工学部
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堀場 泰高
広島大学工学部
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江口 真
広大工
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石田 満彦
広島大学工学部
著作論文
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 3a-YE-12 断熱近似における量子ドット・ターンスタイルのダイナミックな特性
- 3a-YE-11 量子ドット・ターンスタイル素子における電流量子化条件
- 量子ドットのクーロン振動に対するポテンシャル揺らぎの効果
- 微小トンネル素子の時間変調効果
- 量子ドットの伝導特性に対するバンド幅効果
- 28a-M-8 半導体量子ドットにおける波束の広がり効果と過渡応答
- 28a-M-7 交流変調されたポテンシャル障壁のトンネル効果
- 29p-YF-5 量子ドットにおけるターンスタイル特性の解析
- 半導体量子ドットにおけるクーロン・ブロッケード
- 31a-A-3 ポテンシャル障壁の時間変化に対するトンネル電流の動的応答
- 5p-N-2 量子ドットの動的現象に対する数値解析
- 30p-Q-17 量子ドットの動的現象に対する断熱近似とその拡張
- 28p-L-1 Wigner関数とLandauer公式
- 28p-L-1 Wigner関数とLandauer公式
- 13a-K-5 Wigner関数法と散乱理論法によるメソスコピック系の電気伝導
- 12p-DF-11 時間的に変化する外場中のクーロン・ブロッケード
- 13a-K-5 Wigner関数法と散乱理論法によるメソスコピック系の電気伝導
- 1a-M-3 一次元バリスティックチャンネルのコンダクタンスに対するポテンシャルの対称性の効果
- 27p-P-9 コンダクタンスに対するリード線上の散乱体の効果
- 27p-B-1 一次元伝導チャンネルの電流-電圧特性に対する電極、散乱体、電位勾配の効果
- 26p-ZB-1 メソスコピック系へのウイグナー分布関数の応用
- 30a-ZK-1 一次元バリスティックチャンネルへのウイグナー関数の応用
- 3p-YH-4 量子ドットのPAT(Photon Assisted Tunneling)に対するランダムポテンシャルの効果(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)
- 3p-YH-3 変調外場に対する量子ドットの交流伝導特性(3pYH 低温(量子ドット・多体効果),低温)