芝原 健太郎 | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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概要
関連著者
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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横山 新
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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横山 新
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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中島 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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前田 展秀
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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前田 展秀
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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吉野 雄信
半導体mirai-asrc-aist
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川上 信之
株式会社神戸製鋼所電子技術研究所
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吉川 公麿
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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野村 明弘
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉川 公麿
広島大学:産業総合研究所
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角南 英夫
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉野 雄信
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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KHOSRU Quazi
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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Khosru Q
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
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羽田野 剛司
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉田 昌義
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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羽田野 剛司
Research Center For Nanodevices And Systems Hiroshima Univ.
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吉野 雄信
広島大 ナノデバイス・システム研セ
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日野 真毅
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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天田 高明
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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鬼松 大
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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吉野 雄信
広島大学ナノデバイス ・ システム研究センター
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Kikkawa Takamaro
Millenium Research For Advanced Information Technology (mirai)-asrc Aist
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鬼松 大
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端研
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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広瀬 全孝
産業技術総合研究所
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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廣瀬 全孝
広島大学工学部
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三富士 道彦
広島大学工学部
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藤井 敏昭
(株)荏原総合研究所
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井上 靖朗
株式会社ルネサステクノロジ
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芝原 健太郎
広大
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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山下 朋弘
ルネサステクノロジ
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中嶋 安理
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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永久 克巳
(株)ルネサステクノロジ
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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藤井 敏昭
(株)荏原製作所
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清水 昭博
株式会社ルネサステクノロジ
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宮崎 誠一
広大
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永久 克己
株式会社ルネサステクノロジ
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長田 光生
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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松野 明
フェトン(株)
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楡 孝
フェトン(株)
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法澤 公成
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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佐野 孝輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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江藤 隆則
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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野津 大輔
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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川上 信之
神戸製鋼電子技術研究所
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石川 宜識
広島大学ナノデバイヌ・システム研究センター
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青木 康志
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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釘宮 敏洋
株式会社神戸製鋼所電子情報研究所
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科
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尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジ
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釘宮 敏洋
神戸製鋼所 電子技研
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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長田 光生
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
著作論文
- サブ0.1μm MOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題
- ウェハ保管環境の MOS デバイス特性への影響
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- デュアルゲートCMOS応用を目指したN^+注入によるMo仕事関数制御とその影響
- 極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)
- 超LSI対応レーザー不純物活性化技術
- Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Sub-keV As^+注入における深さ方向プロファイルの評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減
- 傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御
- LOCOS端に誘起される欠陥のウエハ種依存性評価