宮崎 誠一 | 広大院先端研
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概要
関連著者
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宮崎 誠一
広大院先端研
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宮崎 誠一
広大
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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牧原 克典
広大院先端研
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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池田 弥央
広大院先端研
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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池田 弥央
広島大学大学院先端物質科学研究科
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村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
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宮崎 誠一
名古屋大学大学院工学研究科
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牧原 克典
広島大学大学院先端物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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牧原 克典
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広大院先端物質科学
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牧原 克典
名古屋大学大学院工学研究科
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白石 賢二
筑波大院数物
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櫻井 蓉子
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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村口 正和
東北大学際センター
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高田 幸宏
筑波大院数物
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遠藤 哲郎
東北大学際センター
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村口 正和
早大理工
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白石 賢二
Crest:筑波大数理物質
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村口 正和
東北大学際セ:crest-jst
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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岡田 竜弥
琉球大学工学部
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岡田 竜弥
琉球大学 工学部
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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藤岡 知宏
広島大学大学院先端物質科学研究科
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林 司
日新電機株式会社
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川口 恭裕
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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広重 康夫
広島大学大学院先端物質科学研究科
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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竹内 大智
名古屋大学大学院工学研究科
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可貴 裕和
日新電機株式会社
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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森 大樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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貫目 大介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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後藤 優太
広島大学大学院先端物質科学研究科
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尉 国浜
広島大学大学院先端物質科学研究科
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吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岡田 竜弥
広島大学大学院先端物質科学研究科
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奥山 一樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
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東 清二郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広大
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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加久 博隆
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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松井 真史
広島大学大学院先端物質科学研究科
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三嶋 健斗
広島大学大学院先端物質科学研究科
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 倫明
東京都立大塚病院 外科
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野中 作太郎
九州電気専門学校
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小野 崇人
東北大学
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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渡部 平司
大阪大学
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新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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高村 禅
北陸先端大院・マテリアルサイエンス
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学
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浦岡 行治
奈良先端大
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羽根 一博
東北大学
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一木 隆範
東大院・工・バイオエンジニアリング
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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小田 俊理
東工大工
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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中西 敏雄
東京エレクトロンat Spa開発技術部
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三浦 真嗣
広島大学大学院先端物質科学研究科
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鴻野 真之
東京エレクトロンAT SPA開発技術部
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西田 辰夫
東京エレクトロンAT SPA開発技術部
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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森 伸也
阪大院工
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森 伸也
阪大工
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辰巳 哲也
ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門
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辰巳 哲也
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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小田中 紳二
阪大
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重田 育照
兵庫県立大院生命
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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金田 千穂子
富士通研究所
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中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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小埜 芳和
広島大学大学院先端物質科学研究科
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斉藤 慎一
日立中研
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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古川 弘和
広島大学大学院先端物質科学研究科
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加久 博降
広島大学大学院先端物質科学研究科
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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石田 誠
豊橋技科大
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井谷 俊郎
Selete
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上野 和良
芝浦工大
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坂本 邦博
産総研
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須田 良幸
農工大
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高橋 庸夫
北大
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久本 大
日立
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廣瀬 和之
宇宙研
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水野 文二
UJTラボ
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須田 良幸
農工大・工
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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一木 隆範
東洋大学・工
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新宮原 正三
関西大
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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辰巳 哲也
ソニー
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蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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高村 禅
北陸先端大
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森 伸也
阪大
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山部 紀久夫
筑波大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
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板東 竜也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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小野 崇人
東北大学大学院工学研究科
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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小田 俊理
東工大
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網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
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加久 博隆
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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寄本 拓也
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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財満 鎭明
名大院工
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蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
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宮崎 祐介
広島大学大学院先端物質科学研究科
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松本 和也
広島大学大学院先端物質科学研究科
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重田 育照
兵庫県大院生命
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Hane Kazuhiro
Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University
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Hane Kazuhiro
Faculty Of Engineering Tohoku University
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井谷 俊郎
Nec
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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松井 真二
兵庫県立大
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
-
Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
-
Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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一木 隆範
東大
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一木 隆範
東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻
-
高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
-
小野 崇人
東北大
-
白石 博之
広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
羽根 一博
東北大学大学院
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
一木 隆範
東大 大学院工学系研究科
-
羽根 一博
東北大学大学院工学研究科
-
一木 隆範
東京大学 大学院工学系研究科 バイオエンジニアリング専攻
-
松本 和也
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
重田 育照
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
重田 育照
兵庫県立大学大学院生命理学研究科
-
西垣 慎吾
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
羽根 一博
東北大
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重田 育照
阪大基礎工
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福嶋 太紀
名古屋大学大学院工学研究科
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橋本 邦明
広島大学大学院先端物質科学研究科
著作論文
- 21aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 26aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
- 30pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 30pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- 金属/高誘電率絶縁膜ゲートスタックの光電子分光分析
- ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- シリコン技術
- Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
- SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- 「次世代ULSIデバイスのための誘電体薄膜 : 科学と技術」に関する2004年国際ワークショップ報告
- 研究紹介 HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル
- シリコンテクノロジー分科会
- 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子部品・材料)
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 (シリコン材料・デバイス)
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)