Hiramoto T | Univ. Tokyo

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概要

• 同名の論文著者
• Univ. Tokyoの論文著者

関連著者

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers

• Hiramoto Toshiro

  Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• HIRAMOTO Toshiro

  Institute Industrial Science, The University of Tokyo

• 平本 俊郎

  東大

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 寺田 和夫

  広島市立大学

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• SAITOH Masumi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• SAITOH Masumi

  Toshiba Corporation

• MIYAJI Kousuke

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• NAGUMO Toshiharu

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Saitoh Masumi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Miyaji Kousuke

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Nagumo Toshiharu

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• TSUTSUI Gen

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• OHTOU Tetsu

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• KOBAYASHI Masaharu

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• INUKAI Takashi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Ohtou Tetsu

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Tsutsui Gen

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

• Saitoh Masumi

  Advanced Lsi Technology Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Inukai Takashi

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Kobayashi Masaharu

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 宮野 信治

  STARC

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 小野 崇人

  東北大学

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 高村 禅

  北陸先端大院・マテリアルサイエンス

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端大

• 羽根 一博

  東北大学

• 一木 隆範

  東大院・工・バイオエンジニアリング

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 森 伸也

  阪大院工

• 森 伸也

  阪大工

• 辰巳 哲也

  ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門

• 辰巳 哲也

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 小田中 紳二

  阪大

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 井谷 俊郎

  Selete

• 上野 和良

  芝浦工大

• 坂本 邦博

  産総研

• 芝原 健太郎

  広大

• 須田 良幸

  農工大

• 高橋 庸夫

  北大

• 久本 大

  日立

• 廣瀬 和之

  宇宙研

• 水野 文二

  UJTラボ

• 須田 良幸

  農工大・工

• 一木 隆範

  東洋大学・工

• 新宮原 正三

  関西大

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 辰巳 哲也

  ソニー

• 高村 禅

  北陸先端大

• 森 伸也

  阪大

• 小野 崇人

  東北大学大学院工学研究科

• SAITOH Masumi

  Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• 小田 俊理

  東工大

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• Fujita H

  3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Garnier A

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Garnier Amalia

  Laboratory Of Integrated Micro-mechatronics Systems (limms) Cnrs-iis The University Of Tokyo:(presen

• Hane Kazuhiro

  Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University

• Hane Kazuhiro

  Faculty Of Engineering Tohoku University

• 井谷 俊郎

  Nec

• 宮崎 誠一

  広大

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• TAMSIR Arifin

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• JANUAR Doni

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Fujita Hiroyuki

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Garnier Amalia

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Orsier Elisabeth

  CEA DTA LETI DMITEC

• Peuzin Jean

  Laboratoire de Magnetisme,CNRS

• Mackay Ken

  Laboratoire de Magnetisme,CNRS

• Hiramoto Toshiro

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• TAKAMIYA Makoto

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• YOKOYAMA Kouki

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• SAITO Toshiki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• YANAGIDAIRA Kosuke

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Takamiya Makoto

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Takamiya Makoto

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• 一木 隆範

  東大

• 一木 隆範

  東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 小野 崇人

  東北大

• 羽根 一博

  東北大学大学院

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• Mackay Ken

  Laboratoire De Magnetisme Cnrs

• Januar Doni

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Peuzin Jean

  Laboratoire De Magnetisme Cnrs

• Saitoh Masumi

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Yokoyama Kouki

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• SHIMIZU Ken

  Inst. of Industrial Science and CINQIE, University of Tokyo

• TACHIBANA Fumihiko

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• PARK Sangsu

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• IM Hyunsik

  Univ. of Dongguk, Dept. of Semiconductor Science

• KIM Ilgweon

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Tamsir Arifin

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 一木 隆範

  東大 大学院工学系研究科

• Hiramoto Toshiro

  3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 羽根 一博

  東北大学大学院工学研究科

• Saito T

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Im Hyunsik

  Univ. Of Dongguk Dept. Of Semiconductor Science

• 一木 隆範

  東京大学 大学院工学系研究科 バイオエンジニアリング専攻

• Yanagidaira Kosuke

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Kim Ilgweon

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 宋 驍嵬

  東京大学生産技術研究所

• Nagumo Toshiharu

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Park Sangsu

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Fujita Hiroyuki

  3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 羽根 一博

  東北大

• Shimizu Ken

  Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo

• Inukai Takashi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Tachibana Fumihiko

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Fujita Hideyuki

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

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著作論文

• 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• シリコン技術
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• Untitled - Foreword
• Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Short Channel Bulk MOSFETs
• Mobility Increase in High-Ns Region in (110)-Oriented UTB pMOSFET Through Surface Roughness Improvement
• Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain
• Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and FD SOI MOSFETs
• (マイクロマシン)
• Device Design of Nanoscale MOSFETs Considering the Suppression of Short Channel Effects and Characteristics Variations(Device,Low-Power, High-Speed LSIs and Related Technologies)
• Short Channel Characteristics of Variable Body Factor FD SOI MOSFETs
• Future Electron Devices and SOI Technology : Semi-Planar SOI MOSFETs with Sufficient Body Effect
• Charge Polarity Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Charge Transistors
• Large Threshold Voltage Shift and Narrow Threshold Voltage Distribution in Ultra Thin Body Silicon Nanocrystal Memories
• Suppression of Stand-by Tunnel Current in Ultra-Thin Gate Oxide MOSFETs by Dual Oxide Thickness-Multiple Threshold Voltage CMOS(DOT-MTCMOS)
• Special Issue on Advanced Sub-0.1 μm CMOS Devices
• Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm
• Room Temperature Demonstration of Variable Full Width at Half Maximum of Coulomb Oscillation in Silicon Single-Hole Transistor
• Low Power and Low Voltage MOSFETs with Variable Threshold Voltage Controlled by Back-Bias (Special Issue on Low-Power High-Speed CMOS LSI Technologies)
• Effects of Discrete Quantum Levels on Electron Transport in Silicon Single-Electron Transistors with an Ultra-Small Quantum Dot
• Re-examination of Impact of Intrinsic Dopant Fluctuations on SRAM Static Noise Margin
• Impact of Drain Induced Barrier Lowering on Read Scheme in Silicon Nanocrystal Memory with Two-Bit-per-Cell Operation
• Suppression of Stand-by Tunnel Current in Ultra-Thin Gate Oxide MOSFETs by Dual Oxide Thickness MTCMOS(DOT-MTCMOS)
• Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ(プロセス科学と新プロセス技術)
• 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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