Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm
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概要
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- 2007-09-19
著者
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers
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Hiramoto Toshiro
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
SHIMIZU Ken
Inst. of Industrial Science and CINQIE, University of Tokyo
-
Shimizu Ken
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
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