新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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複数の工場、テクノロジ、実験水準から得たしきい値ランダムばらつきのデータを新たに提案したばらつき規格化手法を用いて詳細に比較検討した。その結果P型FETのランダムばらつきはほぼ不純物ゆらぎで説明できるが、N型FETではそれ以外の何らかのメカニズムが大きく寄与していることが判った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-17
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
角村 貴昭
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
蒲原 史朗
MIRAI-Selete
-
深井 利憲
MIRAI-Selete
-
プトラ アリフィン・タムシル
東京大学
-
平本 俊郎
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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