極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
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概要
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本論文では、極微細シリコンドット中の量子力学的効果に基づく新しい高機能単電子トランジスタ(SET)論理の室温実証について述べる。今回、極めて狭窄されたチャネルを有するMOSFET構造の単正孔トランジスタ(SHT)を作製し、電流山谷比10^2の巨大なクーロンブロッケード振動を室温で観測した。作製した単一ドットSHTにおいては、極微細ドット中の巨大な量子準位間隔に起因する電流山谷比11.8の明瞭な負性微分コンダクタンス(NDC)も室温で観測した。さらに、観測したNDCを用い、単一のSHTの電流を出力としたXOR演算を室温で行なうことにも成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-23
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
齋藤 真澄
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
齋藤 真澄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
齋藤 真澄
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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