「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
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概要
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- 2010-08-19
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
角村 貴昭
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
蒲原 史朗
MIRAI-Selete
-
寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
-
稲葉 聡
MIRAI-Selete
-
最上 徹
MIRAI-Selete
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
寺田 和夫
広島市立大学
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