稲葉 聡 | 東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

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概要

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• 同名の論文著者
• 東芝セミコンダクター社半導体研究開発センターの論文著者

関連著者

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 藤原 実

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 安達 甘奈

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 藤原 実

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 佐々木 貴彦

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 須藤 裕之

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 大内 和也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 外園 明

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 清水 敬

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 小熊 英樹

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 井谷 孝治

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 安武 信昭

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 諸岡 哲

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 水野 央之

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 馬越 俊之

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 佐々木 俊之

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 大村 光弘

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 山田 浩玲

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 冨田 寛

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 村岡 浩一

  (株)東芝研究開発センター

• 松尾 浩司

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 平本 俊郎

  東大

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 冨田 寛

  (株)東芝セミコンダクター社

• 後藤 正和

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 後藤 正和

  徳島大学外科

• 安武 信昭

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 辻井 秀二

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 飯沼 俊彦

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 遠田 利之

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金村 貴永

  半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  半導体研究開発センター

• 近藤 正樹

  半導体研究開発センター

• 伊藤 早苗

  半導体研究開発センター

• 遠田 利之

  半導体研究開発センター

• 岡野 王俊

  半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  半導体研究開発センター

• 八木下 淳史

  プロセス技術推進センター

• 金子 明生

  プロセス技術推進センター

• 稲葉 聡

  半導体研究開発センター

• 中村 光利

  半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

  プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  プロセス技術推進センター

• 石内 秀美

  半導体研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 中村 光利

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 後藤 正和

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 犬宮 誠治

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 楠 直樹

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センター

• 辰村 光介

  東芝研究開発センター

• 金子 明生

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 大村 光広

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 岡野 王俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 稲葉 聡

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 江口 和弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 野田 研二

  NSCore

• 三本杉 安弘

  富士通研究所

• 竹内 潔

  日本電気システムデバイス研究所

• 川崎 博久

  東芝アメリカ電子部品社

• 八木下 淳史

  東芝アメリカ電子部品社

• 石丸 一成

  東芝アメリカ電子部品社

• 犬宮 誠治

  東芝

• 辰村 光介

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 渡辺 由美

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 松田 聡

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 村越 篤

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 工藤 知靖

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 柴田 英紀

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 谷口 修一

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• Matsushita T.

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 東 篤志

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 松田 聡

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 東 篤志

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 谷口 修一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 柴田 英紀

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 木下 敦寛

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 東 篤志

  東芝

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センター

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

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著作論文

• hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
• 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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• FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
• Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価
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• Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価
• ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討
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