ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討
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概要
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- 2011-08-18
著者
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
飯沼 俊彦
株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
稲葉 聡
株式会社 東芝 研究開発センター
-
杉崎 絵美子
株式会社 東芝 研究開発センター
-
宮田 俊敬
株式会社 東芝 研究開発センター
-
大島 康礼
株式会社 東芝 セミコンダクター&ストレージ社
-
外園 明
株式会社 東芝 研究開発センター
-
安達 甘奈
株式会社 東芝 研究開発センター
-
宮野 清孝
株式会社 東芝 研究開発センター
-
辻井 秀二
株式会社 東芝 セミコンダクター&ストレージ社
-
川中 繁
株式会社 東芝 研究開発センター
-
井谷 孝治
株式会社 東芝 セミコンダクター&ストレージ社
-
豊島 義明
株式会社 東芝 研究開発センター
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