Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
High-k/Metal-Gate(HKMG)MOSFETのV_<TH>ばらつきをTakeuchiプロットを用いて評価し,従来のSiON絶縁膜/Poly Si Gate(SiON)MOSFETと比較した.Takeuchiプロットに必要なパラメータ等はC-V測定から求めた.その結果,HKMG MOSFETでは,離散不純物揺らぎ(RDF)によるばらつきは確かに抑制されているものの,他の要因に起因する特性ばらつきが大きいことが明らかとなった.TakeuchiプロットはSiON MOSFETのみでなく,HKMG MOSFETに対しても特性ばらつきの強力な評価手法である.
- 2011-08-18
著者
-
寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
蒲原 史朗
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
-
稲葉 聡
MIRAI-Selete
-
最上 徹
MIRAI-Selete
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
寺田 和夫
広島市立大学
関連論文
- 依頼講演 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 (集積回路)
- C-11-4 しきい値電圧ばらつきに対するハロー構造の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
- C-10-5 しきい値電圧バラツキのチャネル寸法依存性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
- 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
- C-11-4 コンダクタンス測定によるDDDMOSFETのパラメータ抽出(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- パラメータ抽出用のデータ数削減手法とその応用(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- パラメータ抽出用のデータ数削減手法とその応用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-11-3 MOSFET しきい値電圧ばらつき評価用試験回路
- 遺伝的アルゴリズムを用いた,パラメータ抽出におけるグルーピング : BSIM3v3のモデルパラメータ抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 'SBB'SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
- 'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
- 新しいDTMOS回路構造の動作評価
- しきい値電圧抽出方法の比較
- オフセットゲートMOSFETの回路モデル
- オフセットMOSFETの実効チャネル長の基板電圧依存性
- オフセットゲートを有するMOSFETの回路シミュレーションモデル
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- 実効チャネル長抽出における測定誤差
- 'SBB'SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
- 'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
- シリコン技術
- (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-11-1 しきい値電圧ばらつきに対するチャネル濃度不均一性の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- C-11-2 電流の測定データにおけるはずれ値除去の自動化(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.15μm部分空乏型SOI MOSFETにおけるサブバンドギャップインパクトイオン化と基板浮遊効果
- 0.1μm薄膜SOI MOSFETのデバイス・プロセス設計と特性評価
- リソグラフィー限界を越えたSi量子細線MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケードの観測
- 低電圧動作0.1ミクロン薄膜SOI MOSFETの試作と特性評価
- 異方性エッチングによるSi極微細MOSFETの作製と室温におけるクーロンブロケード振動の観測
- スプリットゲートによる極微細SOI-MOSにおけるコンダクタンス振動現象
- SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象
- SOI基板上に作製したスプリットゲートMOS構造のコンダクタンス振動現象
- 遺伝的アルゴリズムを用いた,パラメータ抽出におけるグルーピング : BSIM3v3のモデルパラメータ抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲
- C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果
- 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果
- シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
- 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 異方性エッチングにより作製したシリコン単電子トランジスタの室温動作 (マイクロマシン特集号)
- シリコン単一電子素子における量子効果の評価
- シリコン単一電子素子における量子効果の評価
- 異方性エッチングによる高精度シリコン極微細構造作製プロセス
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
- Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 膜厚4nm以下の(110)面極薄SOIシングルゲート/ダブルゲートn/p MOSFETにおける一軸引っ張り歪みによる移動度向上(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Beyond CMOS とは?
- 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価
- 6.新構造MOSトランジスタ技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 (集積回路)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 (集積回路)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 (シリコン材料・デバイス)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 (シリコン材料・デバイス)
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)