「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばらつきおよびG_mばらつきのみではなく、「電流立上り電圧」ばらつきによってもばらつくことを明らかにした。また、シミュレーションと実測により、「電流立上り電圧」ばらつきが、不純物によるチャネルポテンシャルの揺らぎに起因することを明らかにした。
- 2010-08-19
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
角村 貴昭
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
蒲原 史朗
MIRAI-Selete
-
寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
平本 俊郎
東大
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
-
KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
-
稲葉 聡
MIRAI-Selete
-
最上 徹
MIRAI-Selete
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
寺田 和夫
広島市立大学
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