オフセットゲートMOSFETの回路モデル
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概要
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オフセットゲートMOSFETをMOSFET,JFET,抵抗の3素子で近似した回路モデルに対して,実効チャネル長などの構造パラメータが変化した場合におけるそれぞれの近似精度を調べた.その結果,rms(root mean square)により評価された誤差はいずれも約5%前後に収まり,近似したモデルが回路モデルとして,構造パラメータが変化した場合においても有効であることが定量的に示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-25
著者
-
寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
-
辻 勝弘
広島市大学院情報科学研究科
-
辻 勝弘
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
高木 弘明
広島市立大学情報科学部
-
田中 浩治
日本電気株式会社半導体事業部
-
高木 弘明
広島市立大学情報科学部:(現)日立中部ソフトウェア株式会社
-
寺田 和夫
広島市立大学
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