C-11-4 しきい値電圧ばらつきに対するハロー構造の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-04
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
-
高橋 和也
広島市大学院情報科学研究科
-
辻 勝弘
広島市大学院情報科学研究科
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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