26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-08-18
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
角村 貴昭
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
矢野 史子
MIRAI-Selete
-
外山 健
東北大金研
-
永井 康介
東北大金研
-
井上 耕治
京大院工
-
井上 耕治
東北大 金属材料研
-
高見澤 悠
東北大金研
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
MIRAI-Selete
-
清水 康雄
東北大金研
-
井上 耕治
京大工
-
高見澤 悠
東北大学大学院工学研究科
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