井上 耕治 | 京大院工
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概要
関連著者
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井上 耕治
京大院工
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井上 耕治
東北大 金属材料研
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井上 耕治
京大工
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永井 康介
東北大金研
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長谷川 雅幸
東北大金研
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井上 耕治
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華東師範大学
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唐 政
東北大金研
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外山 健
東北大金研
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東大院総合
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東大院総合文化
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東北大金研
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斎藤 晴雄
東大院総合
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大窪 秀明
東北大金研
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斎藤 晴雄
東京大学大学院総合文化研究科
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大窪 秀明
東北大 金属材料研
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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矢野 史子
MIRAI-Selete
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千葉 利信
東北大学金属材料研究所
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津戸 昭良
東北大金研
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久保 康則
日大文理
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鈴木 直毅
JST-CREST
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兵頭 俊夫
東大教養:東大院総合文化
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長嶋 泰之
東大院総合
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兵頭 俊夫
高エネ研
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米永 一郎
東北大金研
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大久保 忠勝
独立行政法人物質・材料研究機構磁性材料センター
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大久保 忠勝
物質・材料研究機構
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ELDRUP Morten
Riso デンマーク国立研究所
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高見澤 悠
東北大金研
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千葉 利信
東北大金研
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片岡 弘康
東北大金研
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今井 賢
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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宝野 和博
物材機構(筑波大)
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宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
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宝野 和博
物材機構
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白井 泰治
Graduate School Of Engineering Kyoto University
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永井 康介
東大院総合文化
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鈴木 直毅
理研
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Eldrup Morten
Riso National Labo.
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宝野 和博
物質・材料研究機構材料研究所ナノ組織解析グループ
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齋藤 晴雄
東大院総合文化
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大久保 忠勝
(独)物質・材料研究機構
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大久保 忠勝
物質・材料研究機構材料研究所
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Shirai Yasuharu
Department Of Materials Science And Engineering Kyoto University
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Shirai Yasuharu
Dep. Of Materials Sci. And Engineering Kyoto Univ.
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高見澤 悠
東北大学大学院工学研究科
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渡邊 功雄
理研仁科セ
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長友 傑
ICU
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平岡 望
台湾NSRRC
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中野 岳仁
阪大理
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荒木 秀樹
阪大工
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水野 正隆
阪大工
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柳下 明
高エ研
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末沢 正志
東北大金研
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宝野 和博
金材技研
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永井 康介
東北大学金属材料研究所
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長谷川 雅幸
東北大学金属材料研究所
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伊藤 真義
JASRI
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櫻井 吉晴
JASRI
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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下村 浩一郎
高エネ研
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伊藤 真義
Spring8
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門野 良典
KEK物構研
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下村 浩一郎
高エネルギー加速器研究機構
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西山 樟生
高エネルギー加速器研究機構
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三原 基嗣
阪大院理
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長友 傑
国際基督教大
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畠山 賢彦
東北大金研
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外山 健
東北大学金属材料研究所
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井上 耕治
東北大学金属材料研究所
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宝野 和博
物質・材料研究機構
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宇野 弘倫
東北大金研
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武内 伴照
東大院総合文化
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細田 裕司
東北大金研
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廣澤 渉一
東工大工
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里 達雄
東工大工
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佐々木 譲
東北大金研
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西山 樟生
高エ研
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門野 良典
高エ機構物構研
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門野 良典
高エ研
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渡辺 和雄
理研仁科セ
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渡邊 功雄
理研
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栗原 俊一
高エ研
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門野 良典
総研大:kek物構研
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西山 樟生
高エネ機構:j-parcセンター
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宝野 和博
独立行政法人物質・材料研究機構
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宝野 和博
筑波大学数理物理科学研究科
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宝野 和博
物質・材料研究機構磁性材料センター
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下村 浩一郎
高エ研・J-PARCセンター
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設楽 哲夫
高エネルギー加速器研究機構
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設楽 哲夫
高エ研
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下村 浩一郎
高エ研・物構研
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下村 浩一郎
KEK物構研
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三原 基嗣
大阪大理
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渡邉 功雄
理研
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中野 岳仁
阪大院理
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白川 明広
高エネルギー加速器研究機構
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宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料センター
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渡邊 功雑
理研ミュオン
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柳下 明
高エネ機構物構研放射光
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柳田 誠也
物質・材料研究機構
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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設楽 哲夫
物質構造科学研究所
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中原 和夫
物質構造科学研究所
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大久保 忠勝
物材機構
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宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料セ
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最上 徹
MIRAI-Selete
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清水 康雄
東北大金研
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二宮 悠吾
阪大院工
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荒木 秀樹
阪大院工
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水野 正隆
阪大院工
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白井 泰治
京大院工
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平岡 望
JASRI
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宝野 和博
物質材料研究機構
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宝野 和博
物質・材料研究機構(筑波大学)
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宝野 和博
金属材料技術研究所物性解析研究部
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Araki H
Dakin Ind. Ltd. Osaka Jpn
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Araki Hideki
Department Of Materials Science And Engineering Osaka University
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荒木 秀樹
大阪大工
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西山 樟夫
東大理
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島村 健男
東北大金研
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北田 智史
東北大金研
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柳田 誠也
物材機構
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栗原 俊一
高エネ機構物構研
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設楽 哲夫
高エネ機構加速器
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白川 明広
高エネ機構加速器
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中原 和夫
高エネ機構加速器
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宝野 和博
金属材料技術研究所第3研究グループ
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渡邉 功雄
理研RAL
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村松 新一
浜松ホトニクス
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永井 正太
浜松ホトニクス
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里 達雄
東京工業大学工学部金属工学科
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宝野 和博
金属材料技術研究所物性解析研究部第3研究室
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Araki H
Osaka Univ. Suita Jpn
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Araki H
Departmento Of Nuclear Engineering Nagoya University
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北田 智史
東北大 金属材料研
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三原 基嗣
大阪大学
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Araki Hideki
Graduate School Of Engineering Osaka University
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宝野 加博
物質・材料研究機構
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里 達雄
東京工業大学
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中野 岳仁
大阪大学大学院 理学研究科 物理学専攻
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伊藤 真義
SPring-8/JASRI
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下村 浩一郎
高エ研
著作論文
- 20pHT-3 レーザー3次元アトムプローブによるMOS構造中ドーパントの不均一分布の解明(20pHT 若手奨励賞受賞記念講演(若手奨励賞),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aRB-5 ポリSiゲート中の不純物原子の粒界偏析の3次元観察(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-13 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pRB-2 中性子照射したFe-CuおよびFe-Cu-Mnモデル合金中の陽電子消滅温度依存性(29pRB 格子欠陥・ナノ構造(金属・陽電子・水素・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aRB-3 陽電子消滅法による低温電子線照射したSi-Ge単結晶中の空孔型欠陥の回復挙動(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 陽電子量子ドット閉じ込めを利用したFe中Cuナノ析出物の寸法評価法の開発(分析・解析)
- 24pYF-1 陽電子消滅法を用いた低温電子線照射したSi中の空孔型欠陥の低温測定(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pTD-3 電子スピン共鳴および陽電子消滅法による硼酸ガラス中の照射欠陥(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXC-5 イオン結晶および氷中のBloch-Psの2次元角相関運動量分布(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXC-6 Fe中のCuナノ析出物への陽電子捕獲機構(X線・粒子線(陽電子消滅),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aXB-2 Fe-Cu合金中の陽電子拡散係数 : Cu濃度および測定温度依存性(25aXB 陽電子消滅・コンプトン散乱,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aXD-6 氷中Psの陽電子消滅2次元角相関(30aXD X線,粒子線(陽電子消滅),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pXD-3 低速陽電子ビーム装置を用いたFeおよびFe-Cu合金中の陽電子拡散係数測定(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aYM-1 シリカ基モデルガラス中におけるポジトロニウムに対する鉄イオンのクエンチング効果(格子欠陥・ナノ構造(陽電子・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 26pYS-2 陽電子量子閉じ込めを利用した金属中埋込みナノクラスターの電子構造解析(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 26pYS-2 陽電子量子閉じ込めを利用した金属中埋込みナノクラスターの電子構造解析(スクッテルダイトのフォノン物性,領域10,領域8合同招待講演)
- 14pTJ-5 ポジトロニウムで調べた SiO_2 基 2 成分系ガラス中の構造空隙(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 14aTJ-9 埋め込みナノ微粒子のフェルミオロジー(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28aXT-1 陽電子消滅法による電子線照射Si中の空孔型欠陥の研究 : 電子線照射したFZ-SiのPの添加効果について(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 22aXA-12 ポジトロニウムをプローブとしたシリカ基ガラスの構造的空隙の測定
- イオン結晶中のポジトロニウムの動力学
- 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- SrF2単結晶中のポジトロニウム--局在-非局在転移について (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- 錯塩[Zn(ptz)6](BF4)2中のポジトロニウムの温度依存性 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 2D-ACAR用の位置敏感γ線検出器の大型化の試み (「陽電子ビームの形成と物質科学への応用」京都大学原子炉実験所専門研究会報告(平成10年))
- 23pWZ-4 NiTi合金の熱弾性型マルテンサイト変態前駆現象のミュオンによる研究(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 18aTH-8 TiO_2単結晶中の陽電子消滅とコンプトン散乱の比較
- 27pXC-3 TiO_2単結晶中の陽電子消滅(実験II)
- 23pYH-5 TiO_2単結晶中の陽電子消滅
- 29pXJ-4 陽電子消滅時間-運動量相関測定による Fe 中 Cu 析出初期過程の解明
- 28a-K-4 低速陽電子研究施設でのファーストビーム観察および立ち上げ状況
- 29pXJ-6 Al 中の空孔-溶質複合体の陽電子消滅同時計数ドップラー広がり法による研究
- 29a-XK-8 陽電子消滅2D-ACAR用の位置敏感γ線検出器の大型化の試み
- 31a-K-3 新しいタイプの位置敏感γ線検出器の開発 II
- 29a-A-9 新しいタイプの位置敏感γ線検出器の開発
- 陽電子消滅法によるアルミニウム合金中の原子空孔挙動観察