最上 徹 | 日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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最上 徹
MIRAI-Selete
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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蒲原 史朗
MIRAI-Selete
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
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寺田 和夫
広島市立大学
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
MIRAI-Selete
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水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
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KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
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黄 俐昭
Necシリコンシステム研究所
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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黄 俐昭
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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Koh R
Silicon Systems Research Labs.
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Koh Risho
Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation
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Koh Risho
Microelectronics Reserch Laboratory Nec Corp.
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Koh Risho
Microelectronics Research Laboratories Nec Corporation
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Koh Risho
Microelectronics Research Labs. Nec Corp.
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Koh Risho
Silicon Systems Research Laboratory Nec Corporation
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Koh Risho
Microelectronics Res. Labs. Nec Corp.
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
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平本 俊郎
東大
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辰巳 徹
日本電気(株)
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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小倉 卓
(株)genusion
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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最上 徹
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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武村 久
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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鈴木 誠
東京大学生産技術研究所
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山本 豊二
日本電気(株)
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小倉 卓
日本電気(株)
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斉藤 幸重
日本電気(株)
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上沢 謙一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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斉藤 幸重
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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清水 健
天理よろず相談所病院小児科
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
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黄 俐昭
NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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竹内 潔
NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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黄 俐昭
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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竹内 潔
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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最上 徹
NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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清水 健
東京大学生産技術研究所
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清水 健
埼玉社会保険病院病理
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上沢 兼一
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
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清水 健
北海道大学大学院工学研究科
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清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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上沢 謙一
日本電気(株)
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矢野 史子
MIRAI-Selete
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外山 健
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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井上 耕治
京大院工
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井上 耕治
東北大 金属材料研
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高見澤 悠
東北大金研
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國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
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東郷 光洋
NECシリコンシステム研究所
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田辺 昭
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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古川 昭雄
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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最上 徹
NEC Corporation
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國尾 武光
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
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田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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中原 寧
先端デバイス開発本部
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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東郷 光洋
Nec
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竹内 潔
NECシリコンシステム研究所
-
武村 久
NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
-
中原 寧
NEC Electronics Corporation
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清水 康雄
東北大金研
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井上 耕治
京大工
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上沢 兼一
NEC
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最上 徹
日本電気マイクロエレクトロニクス研究所
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國尾 武光
Nec マイクロエレクトロニクス研
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上沢 兼一
日本電気(株)
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中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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宋 驍嵬
東京大学生産技術研究所
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高見澤 悠
東北大学大学院工学研究科
著作論文
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)