Koh Risho | Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation
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概要
関連著者
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黄 俐昭
Necシリコンシステム研究所
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黄 俐昭
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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Koh R
Silicon Systems Research Labs.
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Koh Risho
Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation
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Koh Risho
Microelectronics Reserch Laboratory Nec Corp.
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Koh Risho
Microelectronics Research Laboratories Nec Corporation
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Koh Risho
Microelectronics Research Labs. Nec Corp.
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Koh Risho
Silicon Systems Research Laboratory Nec Corporation
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Koh Risho
Microelectronics Res. Labs. Nec Corp.
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
著作論文
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- アクセプタからの電界の二次元的発散を考慮したSOI-MOSFETのしきい値電圧モデル
- 完全空乏化及び部分空乏化型SOI-MOSFETの短チャネル効果に関する容量ネットワークモデルに基づく比較
- SOIMOSFETの基板浮遊効果に及ぼすキャリア消滅の影響についての解析
- Simulated Device Design Optimization to Reduce the Floating Body Effect for Sub-Quarter Micron Fully Depleted SOI-MOSFETs (Special Issue on New Concept Device and Novel Architecture LSIs)
- ELFIN (ELevated Field INsulator) and SEP (S/D Elevated by Poly-Si Plugging) Process for Ultra-Thin SOI MOSFETs