松本 比呂志 | NECマイクロエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 松本 比呂志

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 松本 比呂志

  Necエレクトロニクス

• 黄 俐昭

  Necシリコンシステム研究所

• 黄 俐昭

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• Koh R

  Silicon Systems Research Labs.

• Koh Risho

  Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Reserch Laboratory Nec Corp.

• Koh Risho

  Microelectronics Research Laboratories Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Research Labs. Nec Corp.

• Koh Risho

  Silicon Systems Research Laboratory Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Res. Labs. Nec Corp.

• 田中 克彦

  MIRAI-Selete

• 田中 克彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 岡本 吉史

  松下電器

• 増田 弘生

  日立

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 野津 明男

  NEC情報システムズ科学技術システム事業部

• 重田 一樹

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 飯塚 貴弘

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 加藤 治男

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 廣井 政幸

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 池沢 健夫

  NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 三浦 道子

  広大

• 吉増 敏彦

  シャープ

• 樋口 哲也

  電総研

• 三浦 道子

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 野津 明男

  Nec情報システム

• 松本 比呂志

  Nec

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• Control Volume法における3D格子点配置に関する考察
• モンテカルロデバイスシミュレーションにおけるエネルギー分布関数の高精度化手法
• 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
• TA-1-4 パラメータのばらつきに対するロバスト設計
• アクセプタからの電界の二次元的発散を考慮したSOI-MOSFETのしきい値電圧モデル
• 完全空乏化及び部分空乏化型SOI-MOSFETの短チャネル効果に関する容量ネットワークモデルに基づく比較
• SOIMOSFETの基板浮遊効果に及ぼすキャリア消滅の影響についての解析

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