羽根 正己 | 日本電気(株)システムデバイス研究所

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概要

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関連著者

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  広島大学

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 中村 英達

  NECシリコンシステム研究所

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 河田 道人

  NEC情報システムズ

• 江崎 達也

  NECシリコンシステム研究所

• 岩本 敏幸

  NECシリコンシステム研究所

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 中村 英達

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 山本 豊二

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 江崎 達也

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部

• 山本 豊二

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部

• 中里 博紀

  NEC情報システムズ科学技術システム事業部

• 羽根 正巳

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 東郷 光洋

  NECエレクトロニクス株式会社

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 敏幸

  NEC シリコンシステム研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 竹田 裕

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 岩本 俊幸

  Nec Electronics Corporation

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 五十嵐 信行

  NECシリコンシステム研究所

• 羽根 正巳

  NECシリコンシステム研究所

• 五十嵐 信行

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 羽根 正巳

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 山本 豊二

  NEC情報システムズ基盤ソフトウエア事業部

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 石田 宏一

  帝京科学大学理工学部

• 石田 宏一

  日本電気(株)基礎研究所

• 田中 克彦

  MIRAI-Selete

• 内田 尚志

  北海道工大

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 宮村 信

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 宮村 信

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 五十嵐 信行

  Necシリコンシステム研

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 克彦

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 忍田 真希子

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 松本 比呂志

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 川本 英明

  Necエレクトロニクス(株)

• 辰巳 徹

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 忍田 真希子

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 廣井 政幸

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 池沢 健夫

  NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 内田 尚志

  北海道工業大学

• 加藤 治男

  日本電気

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 辰巳 徹

  日本電気株式会社

• 上沢 兼一

  日本電気

• 松本 比呂志

  Necエレクトロニクス

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著作論文

• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
• (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
• 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
• 不活性化による格子間シリコンの放出を考慮したヒ素のペア拡散モデル
• イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討

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