石田 宏一 | 帝京科学大学理工学部

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概要

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• 石田 宏一

  帝京科学大学理工学部

• 石田 宏一

  帝京科学大学

• 木村 龍平

  帝京科学大学

• 高橋 清

  帝京科学大学

• 重森 篤

  帝京科学大学理工学部

• 四家 淳一

  帝京科学大学理工学部

• 木村 龍平

  帝京科学大

• 高橋 清

  帝京科学大学理工学部

• 鈴木 良一

  産総研

• 大平 俊行

  産総研

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門

• 成沢 忠

  高知工科大電子・光工

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 鈴木 良一

  産業技術総合研究所

• 内田 恭敬

  帝京科学大学

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 成沢 忠

  高知工科大学電子・光システム工学科

• 広瀬 和之

  宇宙科学研究所

• 石田 宏一

  日本電気(株)基礎研究所

• 丸山 喜之

  帝京科学大学理工学部

• 加藤 智博

  帝京科学大学理工学部

• 内田 尚志

  北海道工大

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 三浦 喜直

  NECシリコンシステム研究所

• 大平 俊行

  産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 成沢 忠

  高知工科大 工

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 内田 尚志

  北海道工業大学

• 加藤 治男

  日本電気

• 原田 整

  高知工科大学

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 内田 恭敬

  帝京科学大学理工学部

• 大平 俊行

  産業技術総合研究所

• 上沢 兼一

  日本電気

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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著作論文

• エチレン基含有ポーラスシリカ膜の空孔評価
• イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
• CoSi_2/Si(001)エピタキシャル成長
• AlN/GaN規則混晶層を用いた立方晶GaN薄膜のGaAs(100)基板上へのMBE成長 : 立方晶GaN薄膜の高品質化の新しい試み(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlN/GaN規則混晶層を用いた立方晶GaN薄膜のGaAs(100)基板上へのMBE成長 : 立方晶GaN薄膜の高品質化の新しい試み(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)

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