AlN/GaN規則混晶層を用いた立方晶GaN薄膜のGaAs(100)基板上へのMBE成長 : 立方晶GaN薄膜の高品質化の新しい試み(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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