AlN/GaN規則混晶層を用いた立方晶GaN薄膜のGaAs(100)基板上へのMBE成長 : 立方晶GaN薄膜の高品質化の新しい試み(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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GaAs(100)基板上に高品質立方晶GaN薄膜を新たに導入したAlN/GaN規則混晶(OA;Ordered Alloy)上にRF-MBE法を用いて成長した。成長中のRHEED観察と高精度x線回折(HRXRD)で立方晶GaNエピ層の結晶性を詳細に検討した結果、ほぼ100%の相純度を得ていることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
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木村 龍平
帝京科学大学
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石田 宏一
帝京科学大学理工学部
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高橋 清
帝京科学大学
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石田 宏一
帝京科学大学
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重森 篤
帝京科学大学理工学部
-
四家 淳一
帝京科学大学理工学部
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木村 龍平
帝京科学大
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高橋 清
帝京科学大学理工学部
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