イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討

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概要

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• ボロンが一様濃度で分布するp型シリコン基板に対するひ素イオン注入後の熱処理時における転位ループの成長と基板中のボロンの再分布について検討した。ボロンー格子間シリコンペア(BI)を拡散種とする非平衡ボロン拡散モデルに基づき、転位ループによる点欠陥とBIの捕獲を考慮することにより転位ループ成長とボロン再分布のモデル化を行った。この物理的根拠に基づくモデルを用いたシミュレーションによって、非平衡拡散が支配的である短時間熱処理においても、転位ループ成長とボロン再分布について実験結果とのよい一致がみられた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1994-09-13

著者

• 松木 武雄

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社シリコンシステム研究所

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 石田 宏一

  帝京科学大学理工学部

• 石田 宏一

  日本電気(株)基礎研究所

• 内田 尚志

  北海道工大

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 上沢 兼一

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 羽根 正巳

  日本電気(株)NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 内田 尚志

  北海道工業大学

• 加藤 治男

  日本電気

• 上沢 兼一

  日本電気(株)

• 上沢 兼一

  日本電気

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

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