MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
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概要
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シリコン反転層キャリア移動度の面方位依存性およびチャネル方向依存性を,擬ポテンシャル法を用いて解析した.移動度は,フォノン散乱,界面凸凹散乱およびイオン化不純物散乱を考慮して計算した.移動度の異方性の計算結果は,実験結果とほぼ一致しており,電気伝導の異方性はフルバンド構造を考慮したモデルにより十分説明できることがわかった.一方,解析バンドを用いた計算では,反転層移動度の異方性を十分再現することができなかった.移動度の面方位およびチャネル方位依存性を高い精度で予測するためには,フルバンド構造を考慮した解析が必要であると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-22
著者
-
江崎 達也
広島大学
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
中村 英達
NECシリコンシステム研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
江崎 達也
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
中村 英達
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
山本 豊二
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
羽根 正巳
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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