シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-12-04
著者
-
辰巳 徹
日本電気(株)
-
小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
-
小倉 卓
(株)genusion
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
-
山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
最上 徹
Necシステムデバイス研究所
-
山本 豊二
日本電気(株)
-
小倉 卓
日本電気(株)
-
斉藤 幸重
日本電気(株)
-
上沢 兼一
日本電気(株)
-
上沢 謙一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
斉藤 幸重
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
辰巳 徹
日本電気株式会社
関連論文
- スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
- 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- (110)面基板上に作製したサブ100nm CMOSの電気特性
- (110)面基板上に作製したサブ100nmCMOSの電気特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度の面方位およびチャネル方向依存性の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
- 0.15μm CMOSトランジスタの特性
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- C-12-31 冗長多値ロジックを用いた10Gb/s CMOS DEMUX IC
- 1.8V動作4MビットフローティングゲートNOR型B4-Flashテストチップを用いた100MByte/sプログラムの考察(集積エレクトロニクス)
- GeチャネルMOSトランジスタの課題とサブ100nmPMOS動作実証
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Gate-Protected Poly-Diode型チャージポンプを用いた1.8V単一電源16Mbit-DINOR型BGOフラッシュメモリ
- Wide-range V_動作に適した65nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のグート絶縁膜改善による高性能・高信頼サブ1.5nmグート酸窒化膜形成
- 4a-PS-34 Si固相成長における界面7×7超格子構造の変化
- 6p-W-1 a-Si/Si(111)界面に存在する7×7超格子構造の直接観察
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価
- 組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ポリSi/SiO_2からのボロン拡散による浅い接合を有するPMOSFETの特性
- p^+ポリシリコンゲートMOS構造における極薄ゲート酸化膜信頼性
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- フッ素化アモルファスカーボン膜を用いた低誘電率層間絶縁膜形成
- 超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果
- 半導体メモリー用HSG-Siキャパシタの開発
- 31a-WC-10 Si/Ge界面2x1秩序構造のHREM, GID観察
- 半球状グレインポリシリコンの形成機構
- 12a-DE-9 Si/Si_Ge_Xにおけるフォトルミネッセンススペクトルの圧力依存性
- 異方性選択エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAMコンタクト技術 : セルフアラインコンタクトパッドの形成
- サブ100nmCMOSロジック用1.5nmゲート酸窒化膜におけるノックオン酸素の影響
- DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)