スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
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概要
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0.35um3層アルミCMOSプロセスおよびCMVP(Capacitor-on-Metal/Via-stacked-Plug)プロセスを用いて, スマートカードLSI混載用128Kbit FeRAMマクロを開発した.本マクロは, 32Kビットから128Kビットまでのフレキシブルなメモリサイズ, 0.3mAの低消費電流, また2.7Vから5.5Vまでの広い電源電圧下での10^8回以上の書き込み/読み出し耐性, といった特徴を持つ.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-14
著者
-
山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
-
小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
-
豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
小池 洋紀
NECシリコンシステム研究所
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
山田 淳一
NECシリコンシステム研究所
-
小林 壮太
NEC
-
豊島 秀雄
NECシリコンシステム研究所
-
天沼 一志
NECシリコンシステム研究所
-
小林 壮太
NECシリコンシステム研究所
-
辰巳 徹
NECシリコンシステム研究所
-
前島 幸彦
NECシリコンシステム研究所
-
波田 博光
NECシリコンシステム研究所
-
森 秀光
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
高橋 誠一
NECシステムLSI設計技術本部
-
竹内 英代
NECシステムLSI設計技術本部
-
國尾 武光
NECシリコンシステム研究所
-
森 秀光
日本電気(株)
-
竹内 英代
日本電気(株)
-
山田 純一
日本電気(株)
-
辰巳 徹
日本電気(株)
-
國尾 武光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
波田 博光
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
竹内 英代
Nec
-
辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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