NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
強誘電体容量をバックアップに用いる不揮発性SRAM(NV-SRAM)の新しい回路技術を2つ開発した。これらの技術により従来のNV-SRAMの面積問題と低電圧動作時の信頼性低下問題を解決する。新たに開発した0.25umルールNV-SRAMセルの面積は9.7um^2であり、同じ設計ルールのSRAMと同一の面積である。高電圧/負電圧プレート線駆動回路により、低電圧動作時の不揮発性保持特性を改善する。これらの技術を用いて512Kbitのテストマクロを設計した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-26
著者
-
豊島 秀雄
NEC
-
山田 淳一
Necエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムlsi事業部
-
小池 洋紀
NECエレクトロニクス株式会社第二開発事業本部第四システムLSI事業部
-
豊島 秀雄
NECエレクトロニクス株式会社生産事業本部先端プロセス事業部
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
奈倉 健
NEC
-
小林 壮太
NEC
-
山田 淳一
NEC Corporation
-
小池 洋紀
NEC Corporation
-
三輪 達
Nec
-
山田 純一
日本電気(株)
関連論文
- 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
- 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
- プロセス ロジック混載強誘電体メモリ回路技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- NV-SRAM : 強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- C-12-37 スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
- C-12-36 NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
- スマートカードマイクロコントローラ向けFeRAMマクロセル
- FeRAMビット線読み出し電圧の強誘電体ヒステリシス形状依存
- 高疲労耐性を有する96KbitCMVP・FeRAMを搭載したコンタクトレス型スマートカード用LSI
- ビット線-プレート線間の容量結合を考慮した強誘電体メモリのビット線電圧Q-Vプロット
- フラッシュ連想メモリ(Flash CAM)検索センスアンプの開発
- 1Mb 2Tr/bitフラッシュ連想メモリ(Flash CAM)
- 1Mbit 2Tr/bitフラッシュ内容アドレスメモリ : Flash CAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
- ビット線上に容量を配置した強誘電体メモリセル構造(F-COB)
- ロジック混載FeRAM技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 1T/2C FeRAMの疲労・インプリント特性
- 大規模不揮発メモリLSIのアナログビットマップ解析システム(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- スマートカードマイクロコントローラに適した256Byte FeRAMマクロセル
- PMOSアクセスメモリセルを使用した超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 64Mb高速DRAMマクロの開発
- C-12-75 高速64Mb DRAMマクロの開発(3) : アレイ部の高速化技術
- C-12-74 高速64Mb DRAMマクロの開発(2) : 制御回路部の高速化
- C-12-73 高速64MbDRAMマクロの開発(1) : チップ構成及び性能ついて
- 「パズルコンセプト」 : CM0Sに比較して消費電力、集積度、コスト共に優れたLSIを提供するBiCMOS LSIのデザインコンセプト
- 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
- 自己参照型読み出し方式1T/1C FeRAM
- 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)