1Mbit 2Tr/bitフラッシュ内容アドレスメモリ : Flash CAM
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概要
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近年の半導体製造技術の進歩に伴い、数百Mbitの大容量メモリLSIの開発が進んでいる。しかしながら、高並列検索機能を備えたCAMにおいては、メモリセルがRAMより複雑なため、数百Kbitと小容量に止まっている[1-3]。このため、大規模なデータに対し並列検索を行う用途において、CAMの利用は性能改善に有効であるが、十分な容量に達していなかった。そこで我々はフラッシュメモリ技術を利用した大容量1MbitCAM(Flash CAM)を初めて開発した。これより以前に浮遊ゲートトランジスタを利用した多値CAM [4]が提案されていたが、多値のために論理・回路が複雑であり、またビット直列の検索方式が用いられていた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
山田 八郎
NEC
-
三輪 達
NECシリコンシステム研究所
-
三輪 達
Nec
-
広田 義則
NEC
-
佐藤 敏哉
NEC
-
原 英樹
NEC
-
山田 八郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
広田 義則
Nec R&dサポートセンター
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