低振幅低雑音入出力バッファ回路
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概要
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マイクロプロセッサの動作速度の向上に伴い、高速低電力なI/Oインターフェースが要望されている。しかし、パッケージ間配線がデバイス程に微細化されない事と、I/Oの高速化により電源ノイズが増大する事により、I/Oインターフェースの動作速度の向上は容易ではない。この問題に対し、振幅を1Vに下げ、終端抵抗を内蔵した低雑音高速インターフェース回路を開発し、500MHzRISCに搭載した。以下その概要を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
-
山品 正勝
NEC
-
山田 八郎
NEC
-
山田 八郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
鈴木 一正
NECシリコンシステム研究所
-
野村 昌弘
STARC
-
鈴木 一正
Nec
-
野村 昌弘
Nec
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