高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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SRAMの面積や遅延を増加させずにSRAM動作マージンを改善する新規アシスト技術として、1)多段階ワード線制御方式(MWC)、2)階層セルアーキテクチャ(HCA)を提案する。これらの技術により、単一電源電圧でスタティックノイズマージン(SNM)、ライトマージン(WM)、そして、読み出し速度を維持したまま、高密度なSRAMを実現することができる。また、40nm CMOSプロセスにおいて、0.248μm^2がセルを用いた2Mb sRAMを開発し、4ns@1.0Vの高速アクセス、及び2.98Mb/mm^2の高いビット密度を確認した。
- 2011-04-11
著者
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
-
伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
-
林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
-
相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
野村 昌弘
STARC
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小畑 弘之
NECエレクトロニクス
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
-
竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
斉藤 寿男
ルネサスエレクトロニクス
-
野村 昌弘
ルネサスエレクトロニクス
-
武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
-
朝山 忍
ルネサスエレクトロニクス
-
相本 代志治
ルネサスエレクトロニクス
-
小畑 弘之
ルネサスエレクトロニクス
-
伊藤 信哉
ルネサスエレクトロニクス
-
高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
-
高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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