低電圧・極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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CMOSロジック回路の電力を削減するには,その電源電圧を低下させることが有効である.本稿では,非常に低い電源電圧で動作するロジック回路のエネルギーと,回路が動作する最低の電源電圧(V_<DDmin>)について,それらのデバイスパラメータ(閾値電圧やサブスレッショルド・スイング・パラメータ等)依存性を評価する.
- 2012-01-20
著者
-
高宮 真
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学
-
桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
-
高宮 真
東京大学生産技術研究所
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
安福 正
東京大学
-
桜井 貴康
東大
-
安福 正
東京大学生産技術研究所
-
桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
-
野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
-
篠原 尋史
半導体理工学研究センター(STARC)
-
更田 裕司
東京大学生産技術研究所
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
-
篠原 尋史
半導体理工学研究センター
-
桜井 貴康
東京大学:JST, ERATO
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