篠原 尋史 | 株式会社ルネサステクノロジ

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概要

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• 株式会社ルネサステクノロジの論文著者

関連著者

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  株式会社ルネサスデザイン

• 桜井 貴康

  東京大学

• 桜井 貴康

  東大

• 桜井 貴康

  東京大学工学系研究科生産技術研究所

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 篠原 尋史

  半導体理工学研究センター(STARC)

• 高宮 真

  東京大学

• 高宮 真

  東京大学生産技術研究所

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 篠原 尋史

  半導体理工学研究センター

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 野村 昌弘

  STARC

• 更田 裕司

  東京大学

• 石倉 聡

  松下電器産業

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 寺野 登志夫

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 鈴木 弘明

  株式会社ルネサステクノロジ

• 竹内 雅彦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 和宏

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  ルネサステクノロジ

• 山上 由展

  松下電器産業

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体先行開発センター

• 赤松 寛範

  松下電器産業

• 里見 勝治

  松下電器産業

• 篠原 尋史

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 安福 正

  東京大学

• 寺野 登志夫

  松下電器産業

• 寺野登 志夫

  松下電器産業

• 桜井 貴康

  東京大学:JST, ERATO

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 山上 由展

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 里見 勝治

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 新居 浩二

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 薮内 誠

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 篠原 尋史

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 石橋 孝一郎

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  ルネサスデザイン

• 増田 康浩

  ルネサスデザイン

• 五十嵐 元繁

  ルネサステクノロジ

• 冨田 和朗

  ルネサステクノロジ

• 坪井 信生

  ルネサステクノロジ

• 平入 孝二

  STARC

• 安福 正

  東京大学生産技術研究所

• 平入 孝二

  半導体理工学研究センター(STARC)

• 更田 裕司

  東京大学生産技術研究所

• 鈴木 利一

  (株)半導体理工学研究センター

• 森脇 真一

  (株)半導体理工学研究センター

• 宮野 信治

  (株)半導体理工学研究センター

• 石田 光一

  東京大学

• 大芦 敏行

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 高田 英裕

  株式会社ルネサステクノロジ

• 宮野 信治

  (株)東芝セミコンダクター社

• 栗本 昌憲

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山中 唯生

  株式会社ルネサスデザイン

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 鈴木 利一

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 森脇 真一

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 川澄 篤

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 宮野 信治

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 山本 安衛

  (株)半導体理工学研究センター

• 川澄 篤

  (株)半導体理工学研究センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 宮野 信治

  東芝

• 高宮 真

  東京大学大規模集積システム設計教育研究センター

• 上田 公大

  三菱電機システムLSI開発研究所

• 今岡 進

  (株)ルネサスデザイン

• 小田 祐士

  (株)シキノハイテック

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 牧野 博之

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 宮野 信治

  半導体理工学研究センター

• 秋山 励

  株式会社ルネサスデザイン

• 鹿嶋 一生

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山中 唯生

  ルネサスデザイン

• 大熊 晴之

  株式会社ルネサスデザイン

• 中瀬 泰伸

  ルネサスエレクトロニクス

• 鈴木 弘明

  三菱電機システムLSI開発研究所

• 須田 核太郎

  三菱電機ULSI開発研究所

• 辻橋 良樹

  三菱電機システムLSI開発研究所

• 篠原 尋史

  三菱電機開発本部

• 中瀬 泰伸

  三菱電機LSI研究所

• 須田 核太郎

  三菱電機LSI研究所

• 鈴木 弘明

  三菱電機LSI研究所

• 牧野 博之

  三菱電機LSI研究所

• 篠原 尋史

  三菱電機LSI研究所

• 牧野 博之

  大阪工業大学

• 村松 篤

  京都大学情報学研究科通信情報システム

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 片岡 直之

  東京大学

• 黄 〓靖

  東京大学

• 村松 篤

  半導体理工学研究センター(STARC)

• 桜井 貴康

  東京大学 生産技術研究所

• 高田 英裕

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 川澄 篤

  (株)東芝

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著作論文

• ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
• 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
• 9.極低電圧動作による低エネルギーLSI(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案(学生・若手研究会)
• エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法(招待講演1,物理設計及び一般)
• パストランジスタBiCMOSゲートを用いた高速64ビット加算器
• BiCMOSワイヤドOR論理
• C-12-33 最低可動電圧(V_)の低いフリップフロップ回路トポロジーの探索(C-12.集積回路,一般セッション)
• サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低電圧・極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 低電圧動作限界に挑戦する極低消費電力LSI回路技術の最新動向 (特集 世界的な競争領域にある最先端デバイス技術) -- (CMOS技術の最前線)
• ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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