局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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サブ100nm世代のCMOSプロセスでは、ドーパント揺らぎ等に起因した局所的な閾値電圧のばらつき(σ_<V_Local>)を無視できない。特にSoCに搭載されるSRAMは微細なMOSFETを用いるためσ_<V_Local>は大きく、スケーリングに伴うσ_<V_Local>増加により性能劣化や歩留低下が懸念されている。したがって、局所ばらつきを考慮して歩留向上を目指すSRAMセル設計は必須である。本講演では、SRAMにおけるσ_<V_Local>を数学的にモデル化して、SRAMの読み出し、書き込み安定動作解析方法について論じる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-06
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
新居 浩二
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
薮内 誠
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
塚本 康正
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
大林 茂樹
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
篠原 尋史
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
-
今岡 進
(株)ルネサスデザイン
-
小田 祐士
(株)シキノハイテック
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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