65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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SRAM動作マージンを改善するための新しい回路技術を提案する。65nm世代の6T-SRAMにこの技術を導入することで、スケーリングトレンドに沿ったセル面積0.494mm^2を実現、新規回路を導入しない場合と比べ20%の高集積化を達成した。8Mbit規模のSRAMを試作し、その安定動作による高い歩留を得ることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
-
新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi技術開発センター
-
山口 泰男
株式会社ルネサステクノロジ
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
-
川島 光
株式会社ルネサステクノロジ
-
新居 浩二
ルネサステクノロジー
-
牧野 博之
(株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部
-
今岡 進
株式会社ルネサスデザイン
-
薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
-
大林 茂樹
株式会社ルネサステクノロジ
-
篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
-
五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
-
竹内 雅彦
株式会社ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
株式会社ルネサステクノロジ
-
塚本 和宏
株式会社ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
株式会社ルネサステクノロジ
-
牧野 博之
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
新居 浩二
ルネサステクノロジ
-
石橋 孝一郎
ルネサスエレクトロニクス
-
篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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