CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM
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概要
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今回0.5μmデザインルールのCMOS, SIMOX技術を利用してSOI-DRAM(64Kビットのテストデバイス)を厚さ100nmの薄膜SOI基板上に初めて作成しDRAMの基本動作を確認した。アクセスタイムの向上と広い電圧動作範囲で動作可能なので、SOI-SRAMは低電圧駆動で高性能であることが必要な低電圧DRAMに適している。またSOI技術は製造コストを低減する可能性もあることから、SOI-DRAMは1Gビット以降のDRAMとして非常に有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-27
著者
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
-
西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
須磨 克博
三菱電機ULSI開発研究所
-
鶴田 孝弘
三菱電機ULSI開発研究所
-
森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
-
日高 秀人
三菱電機ULSI開発研究所
-
広瀬 正和
大王電機
-
山口 泰男
三菱電機ULSI開発研究所
-
栄森 貴尚
三菱電機ULSI開発研究所
-
西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
-
藤島 一康
三菱電機北伊丹製作所
-
山口 泰男
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
栄森 貴尚
三菱電機ulsi技術開発センター
-
広瀬 正和
大王電機株式会社
-
鶴田 孝弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
藤島 一康
三菱電機システムlsi事業化推進センター
-
森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
山口 泰男
三菱電機 Ulsi開研
-
西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
-
西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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