昇圧センスグランド方式によるリフレッシュ特性の改善
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概要
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DRAMは世代が進むにつれて、メモリセルのリーク電流が増加しリフレッシュ時間のスベックを満足することが厳しくなってきている。図1に示すようにリーク経路としては接合リーク、サブスレッショルドリーク、分離リークが挙げられる。リフレッシュ特性を改善する方法として昇圧センスグランド(BSG)方式が考案されている。BSG方式を適用した16MDRAMテストデバイスでリフレッシュ特性の実験を行ない、BSG方式の結果を定量的に調べた結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
有本 和民
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
-
広瀬 正和
大王電機株式会社
-
山形 整人
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
築出 正樹
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機株式会社USLI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機ulsi技術開発センター
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